一：

东芝推出采用有助于降低开关损耗的碳化硅（SiC）MOSFET TWxxxZxxxC系列，该系列有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能，其开通损耗降低约40%，关断损耗降低了约34%。主要应用：开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）、电动汽车充电站、光伏变频器、不间断电源（UPS）等。

二：

MG250YD2YMS3为业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，该模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。主要应用：可再生能源发电系统（光伏发电系统等）、储能系统、工业设备用电机控制设备、高频DC-DC转换器等设备。

三：

TRSxxx65H系列是东芝推出的最新一代用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD），可实现业界领先的1.2V低正向电压，降低了功耗的同时提高了设备效率。主要应用：开关电源、电动汽车充电桩、光伏逆变器